실험실 설치목적
본 연구실에서는 MOCVD를 통한 GaN 박막성장 공정에 관해 연구하고 있다. MOCVD는 유기금속가스를 열분해 시켜 박막을 성장시키는 화학증착 기술의 하나로, GaN 등의 전자재료 박막을 형성하는 기술로 주목 받고 있다. 본 연구실에서는 MOCVD를 이용하여 GaN 박막의 성장 조건 설계 및 특성에 대해 평가한다. 또한 LED내 전반사를 막기 위한 PNS(Patterned n-type GaN Substrate), p-type GaN의 특성향상을 위한 EPA(Electrochemical Potentiostat Activation) 등의 고효율 GaN LED 개발을 위한 새로운 공정 방법을 개발하고 연구한다. 최근에는 InGaN active layer에 external tensile stress를 가해 stress relaxation에 관한 연구도 수행하고 있다.
